Основные параметры биполярного транзистора KT664B9

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 250
Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet