Основные параметры биполярного транзистора KT671A-2

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1.5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1.5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 190°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 4.8 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet