Основные параметры биполярного транзистора KT8156B

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 60W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 330V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 8A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet