Основные параметры биполярного транзистора KT847B

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 8 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 200 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet