Основные параметры биполярного транзистора P213B

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet