Основные параметры биполярного транзистора P217G

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Матер.	Струк.	Pk	Uкб	Uкэ	Uэб	Iк	ft	hfe	Корпус
P217V	Ge	pnp	24W	60V	##	##	7.5A	##	15 ... 40