Основные параметры биполярного транзистора 2SB1189R

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 700mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 195°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 180 ... 390
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: ROHM
Корпус: SP0
Найти datasheet