Справка

Основные параметры биполярного транзистора KTD1003B

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  
• Производитель: KEC
  
• Корпус: SOT89
  
• Найти datasheet