|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC4666BОсновные параметры биполярного транзистора 2SC4666B - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: TOSHIBA
- Корпус: SOT323
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC4076 |
Si | npn | 100mW | 60V | - | ## | 150mA | 180MHz | 200 (min) | TO236 | | 2SC4666A |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 250MHz | 600 ... 1800 | SOT323 | | FMW1 |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | FMW2 |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | IMX1 |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | IMX2 |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | IMX3 |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMW1N |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMW2N |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMX1N |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMX2N |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMX3N |
Si | npn | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | |
|
|
|