Основные параметры биполярного транзистора KT856B

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 700V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 60
Емкость коллекторного перехода (Cc): 100 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet