Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2N553

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 35W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 95°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 80
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: ELN
  
• Корпус: TO3
  
• Найти datasheet