Основные параметры биполярного транзистора 2N5665

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 75
Емкость коллекторного перехода (Cc): 120 pF
Производитель: KELTRON
Корпус: TO66
Найти datasheet