Основные параметры биполярного транзистора 2N5764

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 55V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 750mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Производитель: TRW
Корпус: TO128
Найти datasheet