Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2N1185

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.4MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 130 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
  
• Производитель: CSR
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet