Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2N1193

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 25V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 25V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 300
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  
• Производитель: ELN
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet