Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2N1230

• Материал: Si
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 35V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 35V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 14 ... 32
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 180 pF
  
• Производитель: ELN
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet