Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2N673

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 25V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 25V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 250
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: PHO
  
• Корпус: TO31
  
• Найти datasheet