Основные параметры биполярного транзистора 2N699

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
Производитель: STE
Корпус: TO39
Найти datasheet