Основные параметры биполярного транзистора 2N75

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): -
Предельная температура PN-перехода (Tj): -
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: GEN
Корпус: TO1
Найти datasheet