Основные параметры биполярного транзистора 2S140

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO44-1
Найти datasheet