|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S154Основные параметры биполярного транзистора 2S154 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 2 pF
- Производитель: NEC
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2S153 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 30MHz | 60 | TO1 | | 2S155 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 30 | TO1 | | 2S156 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 50 | TO1 | | 2S157 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 30MHz | 50 | TO1 | | 2S158 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 50 | TO1 | | 2S159 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 50 | TO1 | | 2S160 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 100MHz | 60 | TO1 | | 2SA153 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 30MHz | 60 | TO1 | | 2SA154 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 20MHz | 20 | TO1 | | 2SA155 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 30 | TO1 | | 2SA156 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 50 | TO1 | | 2SA157 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 30MHz | 50 | TO1 | | 2SA159 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 50 | TO1 | | 2SA160 |
Ge | pnp | 20mW | 15V | - | - | 4mA | 25MHz | 60 | TO1 | |
|
|
|