|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S167Основные параметры биполярного транзистора 2S167 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 15 pF
- Производитель: NEC
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1265 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | 10V | 10V | 100mA | 1MHz | 25 ... 90 | TO5 | | 2N1265-5 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | 10V | 10V | 100mA | 1MHz | 6 ... 18 | TO5 | | 2N450 |
Ge | pnp | 150mW | 20V | 12V | 10V | 125mA | 4MHz | 30 (min) | TO5 | | ASY56N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 2MHz | 25 (min) | TO1 | | ASY57N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 4MHz | 30 (min) | TO1 | | ASY58N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 7MHz | 40 (min) | TO1 | | ASY59N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 12MHz | 60 (min) | TO1 | | SFT151 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | 12V | 12V | 150mA | 300KHz | 30 | X01 | | SFT152 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | 12V | 12V | 150mA | 300KHz | 50 | X01 | | SFT153 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | 12V | 12V | 150mA | 300KHz | 80 | X01 | | SFT300 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 2MHz | 28 | TO1 | | SFT307 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 | TO1 | | SFT308 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 6MHz | 70 | TO1 | |
|
|
|