Основные параметры биполярного транзистора 2S25

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO1
Найти datasheet