Основные параметры биполярного транзистора 2SA1161

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 120°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO92
Найти datasheet