Основные параметры биполярного транзистора 2SA1666

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 180
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: SP0
Найти datasheet