Основные параметры биполярного транзистора 2SA217H

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60
Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO5
Найти datasheet