Основные параметры биполярного транзистора 2SA295

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO1
Найти datasheet