Основные параметры биполярного транзистора 2SA41

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 40mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45
Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO1
Найти datasheet