Основные параметры биполярного транзистора 2SA479

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 400mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60
Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO1
Найти datasheet