Основные параметры биполярного транзистора 2SA530H

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 400mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 185°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 100
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO18
Найти datasheet