Основные параметры биполярного транзистора 2SA884

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 270mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 65V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 250
Емкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: XM36
Найти datasheet