Основные параметры биполярного транзистора 2SA911

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 470mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 850V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 300
Емкость коллекторного перехода (Cc): 16 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO5
Найти datasheet