Основные параметры биполярного транзистора 2SAB19

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 5.5W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 130°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 250
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: R57
Найти datasheet