Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2SAB22

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: TOSHIBA
  
• Корпус: TO1
  
• Найти datasheet