Основные параметры биполярного транзистора 2SB1012K

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2K ... 30K
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO126
Найти datasheet