Основные параметры биполярного транзистора 2SB1030A

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 185°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 160
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: NEC
Корпус: SOT33
Найти datasheet