Основные параметры биполярного транзистора 2SB1118T

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 700mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200 ... 400
Емкость коллекторного перехода (Cc): 13 pF
Производитель: HITACHI
Корпус: SP0
Найти datasheet