Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2SB113

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
  
• Производитель: NEC
  
• Корпус: TO5
  
• Найти datasheet