Основные параметры биполярного транзистора 2SB1301

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 195°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: SP0
Найти datasheet