Основные параметры биполярного транзистора 2SB1307

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 250°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 180
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: SOT33
Найти datasheet