Основные параметры биполярного транзистора 2C3960

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.6GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
Производитель: SEMELAB
Корпус: LCC3
Найти datasheet