Основные параметры биполярного транзистора 2SB159

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 60mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 7V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: R19
Найти datasheet