vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT10050LVFR

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора APT10050LVFR

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 520W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 21A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 300nS
Входная емкость (Сiss): 6600
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.500 Ом
Производитель: Advanced Power
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
APT10043JVR	MOSFET	N-Channel	500W	1000V			22A		7500	0.430 Ом	N/A
APT10050B2VR	MOSFET	N-Channel	520W	1000V			21A		6600	0.500 Ом	N/A
APT10050JN	MOSFET	N-Channel	520W	1000V			20.5A	235nS	5425	0.500 Ом	N/A
APT10050JVFR	MOSFET	N-Channel	450W	1000V			19A	300nS	5500	0.500 Ом	N/A
APT10050JVR	MOSFET	N-Channel	450W	1000V			19A		6600	0.500 Ом	N/A
APT10050LVR	MOSFET	N-Channel	520W	1000V			21A		6600	0.500 Ом	N/A
APT10057WVR	MOSFET	N-Channel	450W	1000V			17.3A	335nS	6600	0.57 Ом	SMD4
APT8030JVFR	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A	300nS	5500	0.300 Ом	N/A
APT8030JVR	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A		6600	0.300 Ом	N/A
SML100J19	MOSFET	N-Channel	450W	1000V			19A	16/59nS	6600pF	0.5 Ом	SOT-227
SML100J22	MOSFET	N-Channel	500W	1000V			22A	18/63nS	7400pF	0.43 Ом	SOT-227
SML100L21	MOSFET	N-Channel	520W	1000V			21A	16/59nS	6600pF	0.5 Ом	TO-264
SML100T21	MOSFET	N-Channel	520W	1000V			21A	16/59nS	6600pF	0.5 Ом	TO-247
SML80J25	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A	16/59nS	6600pF	0.3 Ом	SOT-227