|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML100J22Основные параметры полевого транзистора SML100J22 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 22A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 18/63nS
- Входная емкость (Сiss): 7400pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.43 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: SOT-227
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT10043JVR |
MOSFET | N-Channel | 500W | 1000V | | | 22A | | 7500 | 0.430 Ом | N/A | APT10050B2VR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 21A | | 6600 | 0.500 Ом | N/A | APT10050JN |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 20.5A | 235nS | 5425 | 0.500 Ом | N/A | APT10050JVFR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | 300nS | 5500 | 0.500 Ом | N/A | APT10050JVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | | 6600 | 0.500 Ом | N/A | APT10050LVFR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 21A | 300nS | 6600 | 0.500 Ом | N/A | APT10050LVR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 21A | | 6600 | 0.500 Ом | N/A | APT8030JVFR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 800V | | | 25A | 300nS | 5500 | 0.300 Ом | N/A | APT8030JVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 800V | | | 25A | | 6600 | 0.300 Ом | N/A | SML100J19 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | 16/59nS | 6600pF | 0.5 Ом | SOT-227 | SML100L21 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 21A | 16/59nS | 6600pF | 0.5 Ом | TO-264 | SML100T21 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 1000V | | | 21A | 16/59nS | 6600pF | 0.5 Ом | TO-247 | SML80J25 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 800V | | | 25A | 16/59nS | 6600pF | 0.3 Ом | SOT-227 | |
|
|
|