vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT1201R6BVR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT1201R6BVR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 280W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 3050
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.600 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT1001R6BN MOSFETN-Channel240W1000V 8A 1.600 ОмN/A
    BFC21 MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A-2460pF1.10 ОмTO264AA
    BFC42 MOSFETN-Channel240W1000V 7A-1530pF2.00 ОмTO247
    SML1001R1AN MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.1 ОмTO3
    SML1001R1HN MOSFETN-Channel250W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.1 ОмTO258
    SML1001R3AN MOSFETN-Channel230W1000V 8.5A30/95nS2950pF1.3 ОмTO3
    SML1001R3HN MOSFETN-Channel250W1000V 9.A30/95nS2950pF1.3 ОмTO258
    SML1001RAN MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.0 ОмTO3G100
    SML1002RBN MOSFETN-Channel240W1000V 7A28/82nS1800pF2 ОмTO247
    SML120B8 MOSFETN-Channel280W1200V 8A12/60nS3050pF1.6 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика