|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT1201R6BVRОсновные параметры полевого транзистора APT1201R6BVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 280W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 3050
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.600 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT1001R6BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 8A | | | 1.600 Ом | N/A | BFC21 |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | - | 2460pF | 1.10 Ом | TO264AA | BFC42 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | - | 1530pF | 2.00 Ом | TO247 | SML1001R1AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.1 Ом | TO3 | SML1001R1HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.1 Ом | TO258 | SML1001R3AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 8.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.3 Ом | TO3 | SML1001R3HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 1000V | | | 9.A | 30/95nS | 2950pF | 1.3 Ом | TO258 | SML1001RAN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.0 Ом | TO3G100 | SML1002RBN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | 28/82nS | 1800pF | 2 Ом | TO247 | SML120B8 |
MOSFET | N-Channel | 280W | 1200V | | | 8A | 12/60nS | 3050pF | 1.6 Ом | TO-247 | |
|
|
|