|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT1001R6BNОсновные параметры полевого транзистора APT1001R6BN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.600 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| APT1001R1AVR |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 9A | 150nS | 3050 | 1.1 Ом | SMD2 | | APT1001R1HVR |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 9A | 150nS | 3050 | 1.1 Ом | SMD2 | | APT1201R6BVR |
MOSFET | N-Channel | 280W | 1200V | | | 8A | | 3050 | 1.600 Ом | N/A | | BFC21 |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | - | 2460pF | 1.10 Ом | TO264AA | | BFC42 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | - | 1530pF | 2.00 Ом | TO247 | | BFC45 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | - | 1500pF | 1.25 Ом | TO247 | | SDF9NA80 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | | | 1.4 Ом | N/A | | SML1001H9 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 9A | | 3050pF | 1.1 Ом | TO-258 | | SML1001R1AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.1 Ом | TO3 | | SML1001R1HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.1 Ом | TO258 | | SML1001R3AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 8.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.3 Ом | TO3 | | SML1001R3HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 1000V | | | 9.A | 30/95nS | 2950pF | 1.3 Ом | TO258 | | SML1001RAN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | | | 9.5A | 30/95nS | 2950pF | 1.0 Ом | TO3G100 | | SML1002RBN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | 28/82nS | 1800pF | 2 Ом | TO247 | | SML100A9 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 9A | 12/55nS | 3050pF | 1.10 Ом | TO-3 | | SML120B8 |
MOSFET | N-Channel | 280W | 1200V | | | 8A | 12/60nS | 3050pF | 1.6 Ом | TO-247 | | SML801R2AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 800V | | | 8A | 26/81nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO3 | | SML801R2BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | 26/81nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO247 | | SML801R4AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 800V | | | 7.5A | 26/81nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO3 | | SML801R4BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 8.5A | 26/81nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO247 | | SSH7N80A |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 7A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-3P | | SSH7N90A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 900V | | | 7A | 130nS | 2070pF | 1.8 Ом | TO-3P | | SSH8N80A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 8A | 127nS | 2020pF | 1.5 Ом | TO-3P | | SSH8N90A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 900V | | | 8A | 130nS | 2070pF | 1.6 Ом | TO-3P | | SSH9N80A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | 127nS | 2020pF | 1.3 Ом | TO-3P | | SSH9N90A |
MOSFET | N-Channel | 280W | 900V | | | 9A | 176nS | 2770pF | 1.4 Ом | TO-3P | |
|
|
|