Основные параметры полевого транзистора APT5020BVR

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 26A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 3700
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.200 Ом
Производитель: Advanced Power
Тип корпуса: TO-247
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
APT4014BVR	MOSFET	N-Channel	300W	400V			28A		3600	0.140 Ом	N/A
APT4014HVR	MOSFET	N-Channel	250W	500V			28A	195nS	4500	0.14 Ом	SMD3
APT4016BN	MOSFET	N-Channel	360W	400V			31A	130nS	2850	0.160 Ом	N/A
APT4016BVR	MOSFET	N-Channel	280W	400V			27A		3350	0.160 Ом	N/A
APT4020BN	MOSFET	N-Channel	310W	400V			26A	94nS	2380	0.200 Ом	N/A
APT4020BVR	MOSFET	N-Channel	250W	400V			23A		2650	0.200 Ом	N/A
APT5019HVR	MOSFET	N-Channel	250W	600V			24A	200nS	4400	0.19 Ом	SMD3
APT5020BN	MOSFET	N-Channel	360W	500V			28A	140nS	2890	0.200 Ом	N/A
APT5020BVFR	MOSFET	N-Channel	300W	500V			26A	250nS	3700	0.200 Ом	N/A
APT5020SVFR	MOSFET	N-Channel	300W	500			26A	250nS	3700	0.200 Ом	N/A
APT5020SVR	MOSFET	N-Channel	300W	500V			26A		3700	0.200 Ом	N/A
APT5024BVFR	MOSFET	N-Channel	280W	500V			22A	250nS	3600	0.240 Ом	N/A
APT5024BVR	MOSFET	N-Channel	280W	500V			22A		3600	0.240 Ом	N/A
APT5025BN	MOSFET	N-Channel	310W	500V			23A	83nS	2380	0.250 Ом	N/A
APT6030BN	MOSFET	N-Channel	360W	600V			23A	140nS	2905	0.300 Ом	TO-247
APT6030BVR	MOSFET	N-Channel	300W	600V			21A		3750	0.300 Ом	N/A
BFC50	MOSFET	N-Channel	310W	500V			23A	-	2380pF	0.25 Ом	TO247
IRF360	MOSFET	N-Channel	300W	400V			25A	33/120nS	4200pF	0.23 Ом	TO3
IRF460	MOSFET	N-Channel	300W	500V			21A	35/130nS	4300pF	0.31 Ом	TO3
IRFM360	MOSFET	N-Channel	250W	400V			23A	33/120nS	4200pF	0.20 Ом	TO254
SDF21N60GAF	MOSFET	N-Channel	300W	600V			21A			0.3 Ом	N/A
SDF24N50GAF	MOSFET	N-Channel	300W	500V			24A			0.25 Ом	N/A
SDF26N50	MOSFET	N-Channel	300W	500V			26A			0.22 Ом	N/A
SDF360JEA	MOSFET	N-Channel	250W	400V			25A			0.21 Ом	N/A
SDF360JEB	MOSFET	N-Channel	250W	400V			25A			0.21 Ом	N/A
SDF360JEC	MOSFET	N-Channel	250W	400V			25A			0.21 Ом	N/A
SDF360JED	MOSFET	N-Channel	250W	400V			25A			0.21 Ом	N/A
SDF460JEA	MOSFET	N-Channel	250W	500V			21A			0.27 Ом	N/A
SDF460JEB	MOSFET	N-Channel	250W	500V			21A			0.27 Ом	N/A
SDF460JEC	MOSFET	N-Channel	250W	500V			21A			0.27 Ом	N/A
SDF460JED	MOSFET	N-Channel	250W	500V			21A			0.27 Ом	N/A
SML4020BN	MOSFET	N-Channel	310W	400V			26A	28/90nS	2950pF	0.2 Ом	TO247
SML4020HN	MOSFET	N-Channel	250W	400V			23.5A	26/97nS	2950pF	0.2 Ом	TO258
SML4025BN	MOSFET	N-Channel	310W	400V			23A	28/90nS	2950pF	0.25 Ом	TO247
SML4025HN	MOSFET	N-Channel	250W	400V			21A	26/97nS	2950pF	0.25 Ом	TO258
SML40B27	MOSFET	N-Channel	280W	400V			27A	11/44nS	3350pF	0.16 Ом	TO-247
SML40B28	MOSFET	N-Channel	300W	400V			28A	12/47nS	3710pF	0.14 Ом	TO-247
SML40H28	MOSFET	N-Channel	250W	400V			28A		4040pF	0.14 Ом	TO-258
SML5020BN	MOSFET	N-Channel	360W	500V			28A	38/125nS	3500pF	0.2 Ом	TO247
SML5022BN	MOSFET	N-Channel	360W	500V			27A	38/125nS	3500pF	0.22 Ом	TO247
SML5025BN	MOSFET	N-Channel	310W	500V			23A	28/92nS	2950pF	0.25 Ом	TO247
SML5025HN	MOSFET	N-Channel	250W	500V			21A	28/90nS	2950pF	0.25 Ом	TO258
SML5030BN	MOSFET	N-Channel	310W	500V			21A	28/92nS	2600pF	0.3 Ом	TO247
SML50B22	MOSFET	N-Channel	280W	500V			22A	11/44nS	3400pF	0.24 Ом	TO-247
SML50B26	MOSFET	N-Channel	300W	500V			26A	12/47nS	3700pF	0.2 Ом	TO-247
SML50H24	MOSFET	N-Channel	250W	500V			24A		4030pF	0.19 Ом	TO-258
SML50S26	MOSFET	N-Channel	300W	500V			26A	12/47nS	3700pF	0.2 Ом	D3PAK
SML6030BN	MOSFET	N-Channel	360W	600V			23A	40/130nS	3500pF	0.3 Ом	TO247
SML6033BN	MOSFET	N-Channel	360W	600V			22A	40/130nS	3500pF	0.33 Ом	TO247
SML60B21	MOSFET	N-Channel	300W	600V			21A	12/47nS	3750pF	0.3 Ом	TO-247
SSH22N50A	MOSFET	N-Channel	278W	500V			22A	236nS	3940pF	0.25 Ом	TO-3P
SSH25N40A	MOSFET	N-Channel	278W	400V			25A	182nS	3180pF	0.2 Ом	TO-3P