vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML5022BN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML5022BN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 360W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 27A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 38/125nS
    • Входная емкость (Сiss): 3500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.22 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT4014BVR MOSFETN-Channel300W400V 28A 36000.140 ОмN/A
    APT4016BN MOSFETN-Channel360W400V 31A130nS28500.160 ОмN/A
    APT4020BN MOSFETN-Channel310W400V 26A94nS23800.200 ОмN/A
    APT5015BVR MOSFETN-Channel370W500V 32A 44000.150 ОмN/A
    APT5017BVFR MOSFETN-Channel370W500V 30A200nS44000.170 ОмN/A
    APT5017BVR MOSFETN-Channel370W500V 30A 44000.170 ОмN/A
    APT5017SVR MOSFETN-Channel370W500V 30A 44000.170 ОмN/A
    APT5020BN MOSFETN-Channel360W500V 28A140nS28900.200 ОмN/A
    APT5020BVFR MOSFETN-Channel300W500V 26A250nS37000.200 ОмN/A
    APT5020BVR MOSFETN-Channel300W500V 26A 37000.200 ОмTO-247
    APT5020SVFR MOSFETN-Channel300W500 26A250nS37000.200 ОмN/A
    APT5020SVR MOSFETN-Channel300W500V 26A 37000.200 ОмN/A
    APT5025BN MOSFETN-Channel310W500V 23A83nS23800.250 ОмN/A
    APT6025BVR MOSFETN-Channel370W600V 25A 43000.250 ОмN/A
    APT6030BN MOSFETN-Channel360W600V 23A140nS29050.300 ОмTO-247
    BFC50 MOSFETN-Channel310W500V 23A-2380pF0.25 ОмTO247
    IRF360 MOSFETN-Channel300W400V 25A33/120nS4200pF0.23 ОмTO3
    SDF24N50GAF MOSFETN-Channel300W500V 24A 0.25 ОмN/A
    SDF26N50 MOSFETN-Channel300W500V 26A 0.22 ОмN/A
    SML4020BN MOSFETN-Channel310W400V 26A28/90nS2950pF0.2 ОмTO247
    SML4025BN MOSFETN-Channel310W400V 23A28/90nS2950pF0.25 ОмTO247
    SML40B28 MOSFETN-Channel300W400V 28A12/47nS3710pF0.14 ОмTO-247
    SML5020BN MOSFETN-Channel360W500V 28A38/125nS3500pF0.2 ОмTO247
    SML5025BN MOSFETN-Channel310W500V 23A28/92nS2950pF0.25 ОмTO247
    SML50B26 MOSFETN-Channel300W500V 26A12/47nS3700pF0.2 ОмTO-247
    SML50B30 MOSFETN-Channel370W500V 30A12/55nS4030pF0.17 ОмTO-247
    SML50S26 MOSFETN-Channel300W500V 26A12/47nS3700pF0.2 ОмD3PAK
    SML50S30 MOSFETN-Channel370W500V 30A12/55nS4030pF0.17 ОмD3PAK
    SML6030BN MOSFETN-Channel360W600V 23A40/130nS3500pF0.3 ОмTO247
    SML6033BN MOSFETN-Channel360W600V 22A40/130nS3500pF0.33 ОмTO247
    SML60B25 MOSFETN-Channel370W600V 25A12/55nS4050pF0.25 ОмTO-247
    SML60W32 MOSFETN-Channel400W600V 31.5A15/45nS7500pF0.17 ОмTO-267
    Яндекс.Метрика