|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2N6799LCC4Основные параметры полевого транзистора 2N6799LCC4 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.0 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: LCC4
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6799 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 350V | | | 3A | 35/35nS | 900pF | 1 Ом | TO-205 | 2N6799-SM |
MOSFET | N-Channel | 25W | 350V | | | 3A | - | - | 1.0 Ом | TO220SM | 2N6800 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 3A | 35/35nS | 900pF | 1 Ом | TO-205AF | 2N6800JANTX |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 3A | 35/35nS | 900pF | 1 Ом | TO-205AF | 2N6800JANTXV |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 3A | 35/35nS | 900pF | 1 Ом | TO-205AF | 2N6800SM |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 3A | - | - | 1.0 Ом | TO220SM | IRFE330 |
MOSFET | N-Channel | 22W | 400V | | | 3A | 30/55nS | 620pF | 1.15 Ом | LCC4 | IRFF330 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 3A | 30/55nS | 620pF | 1.15 Ом | TO39 | IRFS720 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 400V | | | 3A | | | | TO-220 | IRFS721 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 350V | | | 3A | | | | TO-220 | |
|
|
|