vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS721
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS721

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6799 MOSFETN-Channel25W350V 3A35/35nS900pF1 ОмTO-205
    2N6799-SM MOSFETN-Channel25W350V 3A--1.0 ОмTO220SM
    2N6799LCC4 MOSFETN-Channel25W350V 3A--1.0 ОмLCC4
    2N6800 MOSFETN-Channel25W400V 3A35/35nS900pF1 ОмTO-205AF
    2N6800JANTX MOSFETN-Channel25W400V 3A35/35nS900pF1 ОмTO-205AF
    2N6800JANTXV MOSFETN-Channel25W400V 3A35/35nS900pF1 ОмTO-205AF
    2N6800SM MOSFETN-Channel25W400V 3A--1.0 ОмTO220SM
    IRFF330 MOSFETN-Channel25W400V 3A30/55nS620pF1.15 ОмTO39
    IRFS720 MOSFETN-Channel30W400V 3A TO-220
    STP4N40FI MOSFETN-Channel35W400V 3A 2.100 ОмISOWATT220
    STP5N30FI MOSFETN-Channel35W300V 3A 1.400 ОмISOWATT220
    STP5N30LFI MOSFETN-Channel35W300V 3.5A 1.400 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика